20 圖為含射極電阻RE的差動放大器(Differential Amplifier)。其中RC1=RC2=8kΩ,RE=100Ω,IB1=IB2=0.5mA,電晶體的β為 100。則差動放大器的差模電
17 圖中QA的寬長比(Aspect Ratio,W/L)為 3 n,QB的寬長比為 2 n,QC的寬長比為n,當此三個電晶體都導通時,其等效寬長比為: (A) 6 n (B) 2.2 n(C) 1.
39 MOSFET 中厄利效應(Early Effect)最主要之成因為何?(A)基板和閘極之間的 p-n 接面 (B)閘極和源極之間空乏區互相影響(C)通道長度因為閘極和汲極的逆偏而影響 (D)崩潰
25 今有一二極體電路如下左圖所示,假設二極體元件的電流-電壓(I-V)特性曲線如下右圖所示:導通後,二極體的端電壓為VD0=0.7 V,不考慮二極體導通的串聯電阻效應。已知VDD=10 V、VSS=
22 如圖所示之雙極性接面電晶體(BJT)放大器,已知電晶體參數β (=Ic/Ib)為 210,以及電晶體集極到射極的交流輸出阻抗ro為 50 kΩ,則此放大器的電壓增益AV (=Vo/Vi)約為多少
26 有一商用 BJT 電晶體元件其三支接腳分別標記為 A、B、C,又僅有一具電阻計可利用。試利用此電阻計研判此電晶體之型態與接腳。設此電阻計的(+)端輸出相對於(-)端+1.5 V 的直流電壓,內有
27 有一p通道增強型(p-channel enhance mode)之MOSFET元件,不考慮輸出電阻效應,已知其iD-vDS電流電壓特性曲線如下圖所示,其中電壓vDS、電流iD均採用絕對值。若考慮
20 如圖所示電路為由電阻R1、R2、R3、R4和理想運算放大器組成的加權加法器(Weighted Summer),若R1=1 kΩ,R2=4 kΩ,R3=1 kΩ,R4=4 kΩ,V1=2 V,V2
29 蕭特基電晶體邏輯(Schottky-Transistor Logic)電路動作速度比雙極性電晶體邏輯(Transistor -TransistorLogic)快的原因是因為蕭特基電晶體:(A)沒
29 今有一矽BJT差動放大器(Differential amplifier)的電路如下左圖所示,其中Q1、Q2 兩電晶體特性完全相同,定電流源I0部分具有一有限之輸出電阻RIO。在進行共模特性分析(