5 關於源極耦合(Source-Coupled)全差動式放大器(Fully Differential Amplifier)特性之敘述,下列何者正確?(A)差動放大器之共模輸入對差模輸出增益(Diffe
30 如圖示電路,電晶體電流放大率 β =100,若 RC=5 kΩ,Re=200 Ω,I=1 mA,則差模輸入阻抗 Rid約為多少? (A) 400 Ω(B) 500 Ω(C) 40 kΩ(D) 5
10 利用浮動閘極電晶體(Floating-Gate Transistor)的記憶細胞(Memory Cell)為:(A) SRAM(靜態隨機存取記憶體) (B) EPROM(可擦式及可程式唯讀記憶體
7 若圖中的N通道增強型MOSFET之Vt=1 V,µ nCox(W/L)=1 mA/V2,則RD及源極與汲極間的有效電阻(rDS)之值分別約為: (A) 20.5 kΩ、312 Ω (B) 12.4
33 由電阻 R1、R2和運算放大器組成的非反相放大器(Non-Inverting Amplifier),如圖所示。其中 R1=1kΩ,R2=1MΩ。運算放大器的輸出飽和電壓為±10V,輸入偏移電壓(