7 圖示理想二極體電路中,試求輸入電壓 vI的範圍,在此範圍內,輸出電壓 vO的值將會隨輸入 vI之變化而變化,其範圍為: (A)1 V ≤vI≤ 4V(B) 1.5V ≤vI≤ 6V(C)2V≤vI
12 今有一電路如圖所示,其中 VP1=VP2=6 V、R1=10 kΩ、R2=5 kΩ,啟動二極體導通的端電壓須達 0.7 V以上,則電路中兩顆二極體導通的情形為何? (A) D1(ON), D2(
13 下列對於場效電晶體放大器的敘述,何者錯誤?(A)共源極放大器的輸入電壓與輸出電壓反相 (B)共閘極放大器的輸入阻抗值很高(C)共汲極放大器的電壓增益值小於 1 (D)共源極放大器的輸入阻抗值很高
15 如圖所示電路,齊納二極體的 VZ=5 V,電源 V=15 V,RL=1 kΩ,若齊納二極體容許的最大 IZ電流 IZmax為 20 mA,則 R 的最小值 Rmin應為多大? (A) 200 Ω
16 如圖的共集(CC)放大器(其偏壓未示)。若電晶體的轉導參數為 gm,輸出電阻為 ro,則此放大器的電壓增益約為何? (A) gmRE(B) gmRE/(1+gmRE)(C)-gmRE(D)-gm
17 分析如圖之電路,若MOSFET 之轉導值gm=1 mA/V 且操作於飽和區,元件之輸出阻抗ro=10 kΩ,RD=10 kΩ,RG=10 kΩ,試求 Vo/Ii=? (A)-90/11(B)-1
20 關於 MOSFET 電晶體之敘述,下列何者錯誤?(A) NMOSFET 通道下方之空乏區帶負電荷(B) PMOSFET 導通時之通道帶正電荷(C) MOSFET 操作在飽和區時之 Cgs(閘極到
22 如圖所示電路中場效電晶體(FET)之 Vt = -1 V、μpCox(W/L)=2 mA/V2,若 FET 工作在飽和區,且電流 ID= 1 mA、VDD=5 V,則電壓 VG應為若干伏特? (
23 有一個 N 通道增強型 MOSFET,Vth=1.2 V,VGS=2 V,下列工作區域何者錯誤?(A)當 VDS=0.4 V,電晶體處在飽和區 (B)當 VDS=1 V,電晶體處在飽和區(C)當
2 關於邏輯電路之敘述,下列何者正確?(A)靜態邏輯(Static Logic)電路切換過程無動態功率(Dynamic Power)消耗(B)動態邏輯(Dynamic Logic)電路在穩態時有導通路
3 關於理想運算放大器之敘述,下列何者正確?(A)輸入阻抗為 0 (B)輸出阻抗無限大(C)差動增益(Differential-mode Gain)為 0 (D)共模增益(Common-mode Ga