36 如圖所示之電路中,若 D1 , D2均為理想二極體,則 D1 , D2之偏壓狀態為何?(A) D1順偏(ON),D2順偏(ON)(B) D1順偏(ON),D2逆偏(OFF)(C) D1逆偏(OF
38 如圖所示為閘極和源極接在一起的 n 通道空乏型(Depletion mode)MOSFET 電路,其參數值如下:VDD=5 V,ID=0.5 mA,Vtn(臨限電壓)=-2 V,若此電晶體被偏壓
40 下圖為 MOS 電晶體的等效電路圖,請問其中的 gmb代表什麼效應?(A)爾利效應(Early effect)(B)通道長度調變效應(C)基體效應(body effect)(D)霍爾效應(Hal
38. 圖(二十三)所示電路,齊納二極體 D 之崩潰電壓為 5V,OPA 為理想運算放大器,試求電壓調節器的 輸出電壓 Vo ut 為何?(A) 14.5 V(B) 12.5 V(C) 10 V(D)
1 有關 DRAM(動態隨機存取記憶體)與 SRAM(靜態隨機存取記憶體)的敘述,下列何者正確?(A) SRAM 需要重新充電(refresh) (B)單一晶胞的電路 DRAM 比 SRAM 複雜(C
3 如圖所示運算放大器電路,下列敘述何者錯誤? (A)參考電壓 VREF為+6V +12V(B)當輸入電壓 Vi為 5V,輸出電壓 Vo約為-12V(C)當輸入電壓 Vi為 7V,LED 燈為暗(D)