1 有關 DRAM 記憶體對資料的儲存方式之敘述,下列何者正確?(A)利用電晶體內的寄生電容儲存資料(B)利用電晶體控制一個電容元件儲存資料(C)利用電晶體內寄生的閂瑣現象(Latch-Up)儲存資料
4 下列關於二極體的敘述,何者正確?(A)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而增加(B)二極體的順向電阻會隨順向電流增加而減少(C)二極體的逆向電阻隨逆向電流增加而增加(D)二極體的順向電阻與逆向電阻均
7 圖為一 RLC 帶通濾波器,當 R=10 kΩ,中心頻率ω0=104 rad/s,頻寬 BW=103 rad/s。若 L=0.1 H,則C=?(A) 1μF(B) 0.1μF(C) 0.01μF(
18 下列何種記憶體主要使用於快取記憶體(Cache Memory)?(A)快閃記憶體(Flash Memory) (B)靜態隨機存取記憶體(SRAM)(C)動態隨機存取記憶體(DRAM) (D)可程
23 已知一顆雙極性接面電晶體(BJT)的電流增益β=100,則此電晶體在深度飽和區(deep saturationregion)工作時,集極電流與基極電流的比值 IC /IB為何?(A)IC/IB<
26 如圖所示電路儀表放大器電路,若輸入電壓差為Vi=Vi1-Vi2,輸出電壓差為 Vo=Vo1-Vo2,且R1=2R2,則輸出電壓差 Vo為:(A) Vo=2 Vi(B) Vo=3 Vi(C) Vo