【題組】18.承上題,電容初始電壓 t = 0 時 Vc (0) = 0V, t ≧ 0時 Vi = 1V,計算 Vo( t1 ) = 10V 時,t1=?(A) 0.1 Sec (B) 0.2 Se
45.a下列關於電晶體共射極且無旁路電容之射極回授偏壓電路之敘述,何者錯誤?(A) 可改善工作點穩定度(B) 具有電流負回授之功能(C) 與有旁路電容之射極回授偏壓電路比較,電流增益降低(D) 與有旁
30. 如圖(十四)所示之電路中,二極體的切入(障壁)電壓為0.7V ,輸入電壓Vin 為15sin(60t)V ,則下列敘述何者正確? (A) 輸出電壓Vout 最高為2.3V(B) 輸出電壓Vou
33.a若量測電路中的 PNP 型雙極性接面電晶體,得知其射極接地,基極電壓為0.7V ,集極電壓為-3V ,請問電晶體操作在哪個區域?(A) 截止區 (B) 順向主動區 (C) 飽和區 (D) 逆向
34. 圖(十七)所示為雙極性接面電晶體的輸出特性曲線,其中直線為負載線,A、B、C、D四個點為不同 IB時的工作點。已知IB1 ~ IB4分別為10μA 、20μA 、30μA、40μA ,在避免失
40. 如圖(二十一)所示,此曲線為下列何種 FET 的 ID-VGS 特性曲線?( VT 為臨界電壓) (A) N 通道 JFET(B) N 通道空乏型 MOSFET(C) P 通道增強型 MOSF
49. 若要將小信號的電壓及電流都放大,可採用下列何種放大電路?(A) 雙極性接面電晶體的共集極放大電路 (B) 雙極性接面電晶體的共射極放大電路(C) 場效電晶體的共集極放大電路 (D) 場效電晶體
13. 零點與極點概念中,發生極點之處,增益X,移相Y且極點之後每十倍頻增益Z,請依前述X,Y,Z依序填入正確敘述?(A)增加3 dB,+45度,增加10 dB (B)衰減-6 dB,-45度,增加2
14. 比較晶體基本偏壓組態,下列敘述何者正確?(A)共閘極:輸入阻抗大,輸出阻抗小,輸入與輸出信號同相(B)共射極:電壓增益大,輸入與輸出信號反相(C)共汲極或稱源極隨耦器:輸入阻抗小,輸出阻抗大,
37. 如右圖為簡單音頻放大器的電路圖,若要得到較低的轉角頻率fL=20 Hz,求C耦合電容值?(A) 0.0289 μF (B) 0.0477 μF(C) 0.289 μF (D) 0.477 μF