27.在未外加偏壓下,下列有關 PN 接面二極體空乏區的敘述,請問何者錯誤? (A)所形成的障壁電位,在空乏區 N 側的電位比 P 側的電位高 (B)達到平衡狀態時,在空乏區 P側中有電洞、在 N 側
31.如圖(十五)使用電晶體驅動繼電器的線圈,已知電晶體的β值為 50,而繼電器線圈的電阻值為 100Ω,控制電壓 Vi如圖所示。若電晶體當電子開關使用時,電阻 RB之最大值最接近以下何值?(假設飽和
41. 某 N 通道空乏型 MOSFET 之截止電壓 VGS ( off )= – 4 V;若此 MOSFET 工作於夾止區,閘極對源極電壓 VGS 為 0 V 時汲極電流為 12 mA,則當閘極對源