10. 如圖(三)所示之電路。雙極性電晶體具有以下之規格:最大額定功率 PD(max) = 1 W,VBE(max) = 0.7 V,VCE(max) = 15 V,β = 100 和 IC(max)
18.a 如圖(八)所示電路,欲使 LED 發光,則輸入電壓 Vin的範圍為何? (A) 2V < Vin < 3V(B) 4V < Vin < 6V(C) 5V < Vin < 7V(D) 6V <
【題組】14. 承第 13 題,此電路可形成何種濾波器?(A) 低通濾波器 ( Low Pass Filter, LPF ) (B) 高通濾波器 ( High Pass Filter, HPF )(C
20. 一個數位加法器的積體電路(IC)分別以 BJT 電晶體設計和用 MOS 電晶體設計,一般而言對這兩種設計方式,下列敘述何者正確?(A) 對於速度,以 BJT 電晶體實現的 IC 會比以 MOS
3. 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)特性的敘述,何者有誤?(A) BJT是三端元件,有三種工作模式 (B) npn型BJT的反應速度比pnp型BJT慢 (C) BJT在主動區(active reg
4. 類比開關(analog switch)的功能是控制類比信號通過或不通過,下列那種半導體元件不適合作為類比開關使用?(A) 二極體 (B) n通道金氧半場效電晶體(NMOS FET) (C) p通
7. 如 圖 (二 )所示電路,電晶體參數均為臨界電壓 ,若V1= 5 V 且V2= 2 V,則電晶體M1、M2 與M3 的寬長比(W/L)M1:(W/L)M2:( W / L )M3為: (A) 2
8. 如圖(五)所示,關於小訊號共射極放大器 ( CE amplifier ) 的敘述,下列何者正確? (A) 集極交流輸出電壓 vout與基極輸入訊號電壓 vin同相(B) 輸出端負載電阻 RL =
12. 圖(五)所示的共源極放大器中,FET的特性與圖(四)的FET相同。假設FET的飽和區之動態輸出電阻r0可忽略不計。若RD=RL=10kΩ,RG1=17MΩ,RG2=7MΩ,RS=4kΩ,Ra=
11. 下列關於 CMOS 數位電路之敘述,何者錯誤?(A) 將數位電路的操作頻率提高,電路的功率消耗會越大(B) 將數位電路線路上的雜散電容降低,電路的功率消耗會越小(C) 將數位電路的操作電壓降低