15 關於序向邏輯(Sequential Logic),下列敘述何者正確?(A)與輸入函數無關,與先前輸入值無關 (B)與輸入函數無關,與先前輸入值有關(C)與輸入函數有關,與先前輸入值無關 (D)與
16 對於動態隨機存取記憶體(DRAM)與靜態隨機存取記憶體(SRAM)工作方式比較的敘述,下列何者正確?(A) DRAM 內記憶胞(memory cell)的資料(data)會隨時間變化(B) DR
19 需要週期性的更新(periodic refresh)以防止儲存資訊流失的是:(A)唯讀記憶體(ROM) (B)靜態隨機存取記憶體(SRAM)(C)動態隨機存取記憶體(DRAM) (D)所有記憶體
37 分析以下之電路,若 MOSFET 皆操作在飽和區且轉導值 gm為 1 mA/V,元件之輸出阻抗 ro皆為 10 kΩ,試求 Vo / Vi約為多少? (A) 10(B) 7.5(C) 25/6(
24 當 BJT 直流偏壓電路之操作點落於下列何區域,此電路方能應用於交流類比放大電路?(A)截止區 (B)順向作用區(forward active region)(C)逆向作用區(reverse a
25 一般發光二極體,最主要的發光機制為何?(A)雪崩崩潰所誘發的發光現象(B)基板效應所產生的發光現象(C)電子、電洞在空乏區復合所產生的發光現象(D)電子、電洞藉由半導體中缺陷復合所產生的發光現象
26 下列對於運算放大器的共模拒斥比(Common-Mode Rejection Ratio, CMRR)的描述,何者錯誤?(A)共模拒斥比的值較大則功率消耗也較大(B)理想運算放大器之共模拒斥比的值