二、如圖二所示之電晶體電路，若電晶體工作於主動區（active region），則基極至射極電壓 VBE(on)= 0.7 V，若電晶體工作於飽和區（saturationregion），則集極至射極電
48. 如圖 ( 二十九 ) 所示之電路，假設電晶體工作於主動區 ( active region ) ，欲使 Av=vo(t)/vs(t)=-40，則 RC 應為下列何值？ (A) 1kΩ圖(二十九)
18. 於主動區工作之電晶體電流增益 α = 0.99，若射極電流IE = 10mA，漏電流ICBO = 5μA，則其集極電流IC值為何？(A) 0.005mA (B) 9.905mA (C) 10m
一、圖（一）所示為一電晶體電路，若電晶體工作於主動區（active region），則基極至射極導通電壓，VBE(on) = 0.7V，若電晶體工作於飽和區（saturation region），則V
42. NPN電晶體工作於主動區，其射極流出的電子有0.125 %在基極與電洞結合，其餘 99.875 %被集極收集，則此電晶體之β值為何？(A) 199 (B) 299 (C) 399 (D) 79
12 雙極性接面電晶體工作於主動區（active region）的輸出阻抗 ro，是下列何種效應所造成？(A)爾利效應（Early effect）(B)米勒效應（Miller effect）(C)溫度
二、圖二(a)之放大器輸入端串聯電容於交流分析時可視為短路，電晶體工作於主動區，其小訊號參數有 gm，rπ，β = gm rπ 以及 ro。放大器之交流等效電路如圖二(b)，【題組】⑴畫出放大器之小訊
35. 一個NPN電晶體的偏壓電路如圖(十五)所示，已知VCC =10V，RE =0.5 kΩ，且流經R1之電流大於10mA。當電晶體工作於順向主動區，且其電流增益 β=200時，IC =2.0mA。
24 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B 之電壓為 3 V，射極 E 的電壓 2.3 V，集極 C 電壓 2.4 V，請問此電晶體在何工作區？(A)主動區（Activ
7 某電路中的 npn 雙極性接面電晶體（BJT），經實驗量測其基極 B 之電壓為 0 V，射極 E 的電壓為 +2 V，集極 C 電壓為 +5 V，請問此電晶體在何工作區？(A)主動區（Active
23 如圖電路對於小訊號電壓增益，下列敘述何者錯誤？ (A)RC過大增益可能減低(B)若電晶體操作於主動區，增加 RE則增益增加(C)若電晶體操作於飽和區，增加 RB可使電晶體進入順向主動（forwa
41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，RC=500Ω，VCC=10V， IB=1mA，則下列何者正確？(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體
一、電晶體電路如下圖，其中電晶體 Q1 與 Q2 性能相同，偏壓於主動區時|VBE| = 0.7 V，電流增益趨近無窮大（β = ∞） ，於飽和區時 VCE = 0.2 V。又 VCC = +5 V，
25. 如圖(三)所示之電路，若電晶體保持在主動區工作，當提高RC值而VCC及RB值保持不變，則下列敘述何者正確？(A) 工作點不變 (B) 工作點朝飽和區反方向移動(C) 基極電流增加(D) 工作點
19.下圖所示 BJT 放大器，有關電晶體敘述，下列何者正確？ (A)操作於飽和區 (B)操作於主動區 (C)操作於三極管區(D)操作於截止區【題組】20.接續第 19 題，有關電晶體敘述，下列何者正
25 關於 BJT 電晶體之敘述，下列何者錯誤？(A)若電晶體操作於主動區，其基極與射極之接面電容 Cπ較基極與集極之接面電容 Cμ為大(B)若電晶體操作於飽和區，其基極與集極之接面電容 Cμ較操作於
二、圖二中電晶體偏壓於主動區，其小訊號參數 gm、rπ、ro、β = gmrπ為已知，vsig為外加電壓訊號源。畫出圖二電路的小訊號等效電路，並列式推導 Ro之數學式，以 RE、RC、Rsig及電晶體
12 如下圖所示放大器，若電晶體操作於主動區（Forward Active Region）假設 C 為無窮大且忽略爾利效應（Early Effect），Vi 為輸入，Vo 為輸出，下列敘述何者正確？(
44.雙極性接面電晶體(BJT)操作於主動區其 T 型小信號模式如【圖 44】所示，BJT 的 β = 50 ，熱電壓 VT =25mV，若直流偏壓的集極電流 IC =1.2mA，則轉移電導(互導)g
63. 下列有關 NPN 雙極性接面電晶體（BJT）的敘述，何者正確？(A)其有三個端點，即射極（E）、基極( B )、源極( S )(B)於主動區時，其基射接面是順向偏壓(C)其於飽和區時可被當作開
28 若電晶體操作於主動區（Forward Active Region），電流增益 β 為定值，關於小訊號模型之敘述下列何者錯誤？(A)電流 IC越大則轉導值（gm）越小(B)Cπ＞Cμ(C)電流 I
26 如圖所示之電路，假設電晶體操作在順向主動區，忽略爾利（ Early）與所有其他電容效應，假 使此電路之轉折（corner）頻率爲 130 Hz，β = 100，求此電路中電晶體之轉導（trans