15. TESLA Model 3 開啟碳化矽金氧半場效電晶體(SiC MOSFET) 在電動車驅動器的應用，下列有關該電晶體特性之敘述，何者有誤？(A)溫度增高時該電晶體的導通電阻變化較傳統 MOS
35. 一個NPN電晶體的偏壓電路如圖(十五)所示，已知VCC =10V，RE =0.5 kΩ，且流經R1之電流大於10mA。當電晶體工作於順向主動區，且其電流增益 β=200時，IC =2.0mA。
35 β1=8 的 p-n-p 電晶體和未知 β2的 n-p-n 電晶體共同組合之電晶體對，測得該電晶體對之電路等效電流增益大小為 β=135，決定其 n-p-n 電晶體未知的 β2值約為多少？ (A
26 有一 npn 電晶體，其爾利電壓（Early Voltage）VA = 40 V。該電晶體操作於主動模式，且 IC = 4 mA，則電晶體的輸出電阻 ro約為：(A)10 kΩ (B)20 kΩ
34.在【圖 34】的電路，NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)Vt=1V。電流源 I=1mA，VDD=5V，若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)
16. 如圖(八)所示之 MOSFET電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage )Vt = 4V，參數K=0.5mA/V2，電路操作於飽和區工作點之 ID =2mA，則此工作
15. 如圖(七)所示之JFET電晶體電路，已知該電晶體截止電壓VGS(off) = – 5V，直流閘源極電壓VGS = –4V時，ID =0.5mA，則R1 /R2值為何？(A) 0.5(B) 1(
4.已知有一電晶體電路，電晶體交流轉移電導 gm=60mA\\/V、rπ=2.5KΩ、VT=25mV，則該電路直流偏壓電流 ICQ=？ (A) 1mA (B) 1.5mA (C) 2mA (D) 2.
26. 有一電晶體放大電路，其電壓增益、電流增益、功率增益皆高，且輸出電壓與輸入電壓相差180°。請問該電路應屬下列何種電晶體放大電路組態？(A) 共射極放大器 (B) 共集極放大器 (C) 共基極放
5.有一共射極之電晶體，其偏壓於工作區測得 I C =1.47mA ，I E = 1.50mA ，則該電晶體的 α、β 參數分別為何？(A) α= 0.49、β= 0.05 (B) α= 0.98、β
一、圖一所示之電晶體放大器電路中，輸入訊號電壓vs為一正弦波電壓。已知該電路之參數為：VCC＝+15 V、VEE＝-15 V、RS＝2.02 kΩ、RL＝10 kΩ；電晶體參數為：共射極電流增益（co
四、考慮一個NPN雙極性電晶體，若將其操作在主動區，其射基極接面與集基極接面的電壓應如何安排？以基極為零電壓參考點說明之。就主動區操作之該電晶體，畫出能帶對空間的概要圖，並在圖上標出各項電子、電洞之擴
15. 假設你需要設計一個基礎電路，該電路可以控制一個電動馬達的轉動方向。請問以下哪個選項是正確的電路設計？(A)使用一個單極性電容和一個三極型電晶體 (B)使用一個雙極性電容和一個三極型電晶體 (C
25 如圖所示為一共源極（common source）放大器（偏壓電路未繪示），該電路電晶體之 Vt＝0.5 V，VDD＝5 V。當 VI＝1.5 V 時，MOSFET 工作於飽和（saturatio
40. 如右圖所示，已知該電晶體截止電壓VGS(off) = - 5 V，直流閘源極電壓 VGS = - 4 V 時，ID = 0.35 mA，則 R1/R2值為何？(A) 2(B) 3(C) 4(D
33. 下圖 MOSFET 偏壓於飽和區且gm= 3 mS，若該電晶體由汲極視入之小訊號輸出阻抗 r o = 5 k Ω，此電路之小訊號電壓增益為何？ (A)-10 (B)-12 (C)-15 (D)
28. 圖(十二)為集極回授偏壓電路，設：RC =10kΩ 且該電晶體之 β=100、VBE =0.7V，則此時IC之值約為多少？ (A) 0.886mA (B) 0.776mA(C) 0.666mA
47. 雙極性接面電晶體(BJT)共射極(CE)組態中，小訊號電源是經由一個耦合電容 CC 進入基極， 該電容 CC 之主要功能為何？ (A)阻隔直流 (B)使電流增益變大 (C)阻隔交流信號 (D)
45. 【圖 45】所示的電晶體放大電路，前面輸入端與後面輸出端，各連接有一個電容器，該電容器的主要目的為何?(A) 隔離交流訊號，避免雜訊干擾，就是俗稱的抗 EMI 功能 (B) 阻隔直流電壓，讓前