一、對一n型摻雜且室溫（300 K）下濃度為 1 × 1015 cm-3的矽半導體，試畫出此半導體在低溫（如低於 77 K）與高溫（如高於 500 K）時的能帶圖，此能帶圖需包含費米能階與能隙的變化，
二、p-n 二 極 體 有 所 謂 的 空 乏 電 容 （ Depletion capacitance ） 與 擴 散 電 容 （ Diffusioncapacitance），請說明這兩種電容的形成機
三、對於高度摻雜的p+-n+穿隧二極體（Tunneling diode），請繪出此穿隧二極體工作於順向偏壓下的電流對電壓（Current-voltage，I-V）特性曲線圖，並加以解釋所繪電流對電壓曲
四、⑴在 雙 極 性 電 晶 體 （ Bipolar Junction Transistor, BJT） 中 有 所 謂 的 歐 利 效 應（Early effect），請說明此效應的產生機制。（10
⑶光檢測器（Photodetector）和太陽電池（Solar cell）都是二極體經照光後可將光能轉換為電能的元件，試畫出光檢測器和太陽電池在照光前後的電流對電壓（Current-voltage，I
五、對於一本質（Intrinsic）的矽半導體，進行淺層摻雜（Shallow doping）主要有擴散與離子佈植兩種技術。【題組】⑴請說明這兩種技術所得到的濃度對深度的分布（Depth profile
一、採用簡單隨機抽樣方式對某一學區 3000 位小學生進行抽樣調查，欲在低於 3% 的標準誤範圍內估計有躁鬱傾向的學生比例，且在低於 1% 的標準誤範圍內估計有單親的學生比例。實際上，如果躁鬱傾向的學
二、一個母體分為 8 層， N1 = N 2 = N 3 = N 4 = N 5 = N 6 = 10 且 N 7 = N 8 = 60 ，從每一層抽出兩個觀察值（ ni = 2, i = 1, L,
三、欲估計 1000 個大二生的平均體重，註冊組有學生入學時的體重，其體重資料由最輕到最重依序共分成 10 組，每組 100 個學生（亦即第 1 組體重最輕，第 2 組次輕，而第 10 組最重）。若欲
四、欲估計 2007 年某鄉鎮的農民所得 Y ，由 256 家農戶抽樣調查 30 家農戶，定義 X 為普查年（2005）所得，Y 為 2007 年所得，試就下列母體資料 X 與 Y 之變異數、共變數及
二、欲估計某一製造業（共 25 家業者）之總所得，從 25 家製造業者抽出 5 家業者調查，其 2005 年及 2008 年的所得資料如下表：根據普查結果得到 2005 年 25 家業者之總所得為 2
三、某一家戶調查針對 6000 家戶進行抽樣調查，以了解單薪家庭的比例及平均家庭所得。若欲在 95% 的信心水準下，估計單薪家庭的比例之估計誤差低於 5% 的範圍，且估計平均家庭所得之估計誤差低於實際
四、下列母體資料（N = 15, k = 5, n = 3）直行為 5 個系統樣本，橫列為層：欲從 N = 15 之母體中抽出 n = 3 之樣本，可採用(1)簡單隨機抽樣，由 15 個隨機抽3 個；
一、다음 문장을 중국어로 옮기십시오.【題組】（１）같은 유교 문화권에 속해 있기 때문에 소재나 사건을 전개하는 데 있어 거부감이 적으면서도 적당히 이국적인 감정을 느낄 수 있는 것도