【題組】⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor d
六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為什麼？（10 分
五、【題組】⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx，為什麼？（10 分）
二、【題組】⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型積體電路 （ULSI） 應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Preclean
四、 【題組】有一種使用 TEOS（tetraethyl orthosilicate）為原料的電漿加強式化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
一、化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime），已知波茲曼常數 k = 1.38 × 10-23 J/K，e = 1.6 × 10
四、目前業界製作發光二極體（Light emitting diode, LED）或雷射二極體（Laser diode, LD）元件，最常用的磊晶方法為有機金屬化學氣相沉積法（Metal Organic
20.超高真空化學氣相沉積是在極高真空下進行特殊材料成長,其反應環境約在10-7torr。若要量測反應壓力,應使用下列何種測量儀器?(A)U形管壓力計 (B)膜片壓力計 (C)伸縮管壓力計(D)熱游離
40. 化學氣相沉積法是半導體製程的重要技術之一，其所使用的無縫不鏽鋼管規格依照ANSI的規範製造，並以公稱管徑與管號來表示鋼管的規格。下列關於公稱管徑與管號的敘述，何者不正確？(A) 管號與鋼管的壁
3. 有關表面硬化、表面塗層與防鏽蝕處理，下列敘述何者不正確？(A) CVD為物理氣相沉積法的簡稱(B) 陽極氧化(Anodizing )經常用於鋁工件之表面處理(C) 鋼板上鍍錫，可用於罐頭容器(D
8. 有關表面處理的敘述，下列何者不正確？(A) 電鍍法是把被電鍍之工件接在陽極(B) 馬口鐵是以鍍錫(熱浸)來防銹(C) 光碟的金屬薄膜可使用物理氣相沉積法(PVD)製造(D) 汽車外殼之表面塗層，
26.關於表面處理的敘述，下列何者錯誤？(A)物理氣相沉積簡稱 PVD，可用於切削刀具及模具上提高耐磨性(B)一般金屬純度愈高耐蝕愈好，而表面愈粗糙愈易腐蝕(C)鎂合金的防蝕主要用陽極處理法，因氧化鎂
二、矽（Si）薄膜在半導體製程中可利用四氯甲矽烷（SiCl4）與氫氣（H2）在平面基板上以氣相沉積方式鍍膜，設 S 為鍍膜表面活性位置（active site），整體反應機制如下：【題組】 ⑴請推導矽
53.目前使用於渦輪引擎渦輪段葉片(blade)及導片(vane)最先進的絕熱/熱障塗層（TBC)製程為何？(A)化學氣相蒸鍍法(CVD)(B)電子束物理氣相蒸鍍法(EB-PVD)(C)大氣電漿喷塗(
10.( ) 化石除了能作為地質年代的指標，也能幫助了解古生物當時的生存環境。下列有關化石的推論，何者錯誤？(A)地層中出現三葉蟲化石，可判斷該地層為古生代的陸相沉積岩層(B)西伯利亞冰原中挖出的長毛
五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 （ SiO2 ） 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 （ ThermalOxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）
7. 有關表面處理之敘述，下列哪一項不正確？(A) 半導體產業可以應用化學氣相蒸鍍法製造積體電路(B) 齒輪可採用感應加熱硬化法改善表面耐磨耗性質，並提高內部硬度(C) 氮化處理係利用化學擴散的原理做
16. 有關表面處理的敘述，下列何者錯誤？ (A)半導體產業可以應用化學氣相蒸鍍法製造積體電路 (B)齒輪可採用感應加熱硬化法改善表面耐磨耗性質，並提高內部硬度(C)氮化處理只適用含有鋁、鉻、鉬等元素
15 在現場勘察人員查獲之毒品咖啡包中，含有極微量的新興毒品，若鑑識人員想要瞭解該新興毒品之準確分子量資訊，則最適合使用下列何種分析方法？ (A)氣相層析/固體沉積紅外線光譜法 (B)氣相層析/電子撞
44-45 題為題組資料一:頁岩層是古代沉積物堆疊而成(圖(二十二))，若沉積物中含有大量古代微生物，在造岩的過程中有機物受到高溫高壓分解，就可能產生天然氣或石油，蘊藏於頁岩的孔隙。因此，頁岩氣相較於
80.什麼是鍵能？ (A)打斷 1 克氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (B)打斷氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (C)打斷 1 莫耳氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (D)形成氣相化合物中的化學鍵所需的