53.目前使用於渦輪引擎渦輪段葉片(blade)及導片(vane)最先進的絕熱/熱障塗層（TBC)製程為何？(A)化學氣相蒸鍍法(CVD)(B)電子束物理氣相蒸鍍法(EB-PVD)(C)大氣電漿喷塗(
【題組】⑷以砷化鎵的磊晶技術為例，請說明化學氣相沉積（chemical vapor deposition, CVD）與有機金屬化學氣相沉積（metal-organic chemical vapor d
六、以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiO2 及 Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為 SiOx 及 SiNx，為什麼？（10 分
五、【題組】⑴以化學氣相沉積法（CVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiO2及Si3N4，而以電漿加強式化學氣相沉積法（PECVD）成長的氧化物及氮化物分別稱為SiOx及SiNx，為什麼？（10 分）
二、【題組】⑴敘述鎢金屬化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD-W）技術在極大型積體電路 （ULSI） 應用上，氣相預清潔（Vapor Phase Preclean
四、 【題組】有一種使用 TEOS（tetraethyl orthosilicate）為原料的電漿加強式化學氣相沉積（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
一、化學氣相沉積（CVD）製程操作於表面反應受限區（surface-reaction-limited regime），已知波茲曼常數 k = 1.38 × 10-23 J/K，e = 1.6 × 10
四、目前業界製作發光二極體（Light emitting diode, LED）或雷射二極體（Laser diode, LD）元件，最常用的磊晶方法為有機金屬化學氣相沉積法（Metal Organic
7. 有關表面處理之敘述，下列哪一項不正確？(A) 半導體產業可以應用化學氣相蒸鍍法製造積體電路(B) 齒輪可採用感應加熱硬化法改善表面耐磨耗性質，並提高內部硬度(C) 氮化處理係利用化學擴散的原理做
20.超高真空化學氣相沉積是在極高真空下進行特殊材料成長,其反應環境約在10-7torr。若要量測反應壓力,應使用下列何種測量儀器?(A)U形管壓力計 (B)膜片壓力計 (C)伸縮管壓力計(D)熱游離
16. 有關表面處理的敘述，下列何者錯誤？ (A)半導體產業可以應用化學氣相蒸鍍法製造積體電路 (B)齒輪可採用感應加熱硬化法改善表面耐磨耗性質，並提高內部硬度(C)氮化處理只適用含有鋁、鉻、鉬等元素
40. 化學氣相沉積法是半導體製程的重要技術之一，其所使用的無縫不鏽鋼管規格依照ANSI的規範製造，並以公稱管徑與管號來表示鋼管的規格。下列關於公稱管徑與管號的敘述，何者不正確？(A) 管號與鋼管的壁
22.（ㄅ)螞蟻分泌化學物質，引領同伴循共同路徑前進；（ㄆ）黑面琵鷺每年夏天飛來臺灣避暑；（ㄇ）雌蛾以化學氣味和同伴溝通；（ㄈ）蜜蜂藉舞蹈求偶；（ㄉ）雄蛙用鳴囊聲音吸引雌蛙；上述與生物課所學行為不符者
10 甲經營化學工廠，因管線腐蝕，化學氣體外洩，導致附近居民乙受傷，乙請求甲損害賠償。下列何者正確？ (A)乙應證明因甲之過失導致乙受有損害 (B)乙應證明甲工廠營業有致其受損害之危險 (C)乙應證明
24.「隨處可見的茶飲店，人手一杯調製飲料，當孩子從小被那些化學氣味、色素與香精麻痺了味覺，我就只是想讓他們嘗一嘗食物真正的味道。讓他們想像一株植物從泥土裡生成，開花之後結果，那果實慢慢生長，在陽光照
五、⑴ 通 常 成 長 二 氧 化 矽 （ SiO2 ） 或 矽 的 氧 化 層 薄 膜 的 方 式 有 熱 氧 化 法 （ ThermalOxidation）中的乾氧化（Dry Oxidation）
80.什麼是鍵能？ (A)打斷 1 克氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (B)打斷氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (C)打斷 1 莫耳氣相化合物中的化學鍵所需的能量 (D)形成氣相化合物中的化學鍵所需的
3. 有關表面硬化、表面塗層與防鏽蝕處理，下列敘述何者不正確？(A) CVD為物理氣相沉積法的簡稱(B) 陽極氧化(Anodizing )經常用於鋁工件之表面處理(C) 鋼板上鍍錫，可用於罐頭容器(D
41. 單一氣體被液體吸收的量(物理吸收)，稱作氣體溶解度( gas solubility )，通常氣體溶解度隨吸收溫度及該氣體在氣相的分壓不同而改變，下列有關氣體溶解度的敘述，何者正確？(A) 隨溫
8. 有關表面處理的敘述，下列何者不正確？(A) 電鍍法是把被電鍍之工件接在陽極(B) 馬口鐵是以鍍錫(熱浸)來防銹(C) 光碟的金屬薄膜可使用物理氣相沉積法(PVD)製造(D) 汽車外殼之表面塗層，
26.關於表面處理的敘述，下列何者錯誤？(A)物理氣相沉積簡稱 PVD，可用於切削刀具及模具上提高耐磨性(B)一般金屬純度愈高耐蝕愈好，而表面愈粗糙愈易腐蝕(C)鎂合金的防蝕主要用陽極處理法，因氧化鎂
34.氣相層析質譜法是濫用藥物分析常用的方法，關於氣相層析前之化學衍生(chemical derivatization)步驟的目的，下列描述何者正確?(A) 為增加分析物之極性與揮發性(B) 為提高分