80. 有關半導體之敘述，下列何者錯誤？(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性(B)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓( )較鍺(Ge)質半導體為高(C)P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電(D)
11.有關半導體之敘述，下列何者正確？(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性(B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電(C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成(D)矽(Si)質半導
5. 有關半導體之敘述，下列何者不正確？(A) 濕式蝕刻比乾式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B) 金屬化製程為製作積體電路中之一流程(C) 矽是半導體，摻雜砷或硼之後，就會變成導體(D) 半導體係利
ˉ2. 下列有關半導體之敘述，何者正確？(A) 當溫度升高時本質半導體的電阻會變大(B) P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度(C) 外質半導體中電洞與自由電子的濃度相同(D) N型半導體內總電子數
19. 有關半導體之敘述何者正確？ (A)在矽中摻雜具有五個外層電子的硼或鎵，摻雜後第五個電子變成自由電子不受拘束，故可以在固體中自由移動，此為 N 型半導體(B)薄膜製作中，濺鍍法是以氫離子撞擊靶材
39. 下列有關半導體的敘述，何者錯誤？(A)半導體的導電程度介於導體與絕緣體之間 (B)為了提高半導體的導電性，應該要提高本質半導體的純度，盡量不要摻雜其他種類的原子 (C)在矽原子中加入少量的第五
3 3 .下列有關半導體的敘述，何者錯誤？(A)半導體的導電程度介於導體與絕緣體之間(B)為提高半導體導電性，應要提高本質半導體的純度，盡量不要摻雜其他種類的原子(C)在矽原子中加入少量的第五族原子，
50.以下有關半導體特性之敘述,何者適切?(A)半導體在室溫下之電導率大致介於導體與絕緣體之間(B)半導體之電導率隨溫度的變化與導體類似(C)半導體如矽(Si)和鍺(Ge)一旦被入質,將大大破壞其半導
25. 有關半導體的敘述，下列何者正確？(A) 半導體的定義為導熱程度介於導體與絕緣體之間的物質(B) 二極體可作為整流器，而電晶體可用於放大訊號(C) 矽中加入鎵雜質可提供電洞，屬於n型半導體(D)
37. 下列有關半導體製程技術之敘述，何者不正確？ (A)矽為非導體，但摻雜砷或硼之後，就會變成半導體 (B)半導體光學微影製程步驟：光阻塗佈→光阻曝光→光阻顯影 (C) 蝕刻是將晶圓上未受光罩保護之
37.有關半導體製程之敘述，下列何者不正確？(A)光罩(Photomask)是通常用石英玻璃製作，塗佈鉻金屬作為遮光用途(B)光阻(Photoresist)可分為正光阻與負光阻兩種(C)矽是半導體，業
13. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？(A) 矽晶棒成長法，將種晶加熱，再施以高壓由一模具口擠出(B) 乾式蝕刻較濕式蝕刻所得電路線條的精度較高(C) 積體電路的製作流程，先摻雜，再製作薄膜及微
6. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？(A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除(C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成(D) 矽
40 有關半導體積體電路（IC）製程敘述，下列何者錯誤？(A)光微影（Lithography）是將線路縮小的關鍵製程(B)光阻（Photoresist, PR）有負光阻和正光阻(C)濕蝕刻（Wet e
19. 有關半導體材料及元件內的電子與電洞，下列敘述何者錯誤? (A) 電子脫離原子軌道所留下之空位稱為電洞 (B) 自由電子移動的速度和電洞移動的速度是一樣的 (C) 價電子脫離原子結構後，形成自由
4 有關蕭特基（Schottky）二極體之敘述，下列何者錯誤？(A)金屬與半導體形成接面二極體 (B)可應用於高頻電路 (C)元件特性為少數載子所主導 (D)矽基蕭特基二極體的切入電壓小於 PN 二極
72.有關半導體偵檢器（semiconductor detectors）與氣體游離腔（ionization chamber）的比較，何者錯誤？(A)能量解析度半導體偵檢器優於氣體游離腔(B)訊號靈敏度
24. 有關半導體的敘述，下列何者正確？(A) 純矽半導體導電能力大於p型半導體(B) 在純矽半導體內摻入第6族元素時形成n型半導體(C) 在矽中加入少量的鎵元素會使電洞增多(D) 在矽中加入少量的碳
27. 有關半導體材料，下列敘述何者正確？(A) 半導體因電位差產生載子移動而形成擴散電流(B) 外質半導體中電洞與自由電子的載子濃度相同(C) P型矽半導體是由本質矽半導體摻雜( doping)三價
77.有關半導體的敘述，下列何者正確？(A)自由電子成為價電子的條件須釋放能量(B)導體的能隙小於半導體的能隙(C)無論是本質或外質半導體，其整體電性為電中性(D)N 型半導體為在本質半導體中摻雜五價
1. 下列有關半導體特性的敘述，何者正確？(A) 純質(intrinsic)半導體內，自由電子與電洞的濃度不同 (B) n型半導體的導電度主要是由摻入(doping)的原子濃度與電子的移動率(mobi
13. 有關半導體製程的敘述，下列何者正確？(A) 柴可斯基法(Czochralski Process)拉晶形成的矽晶棒，其直徑精度很難控制(B) 半導體薄膜製作，通常採用氣相沈積和還原法(C) 半導
1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導
32. 下列有關電晶體之敘述，何者正確？ (A) P通道MOSFET之汲極為P型半導體，源極亦為P型半導體 (B) N通道MOSFET之汲極為N型半導體，源極為P型半導體 (C) 增強型MOSFET已
6. 下列有關半導體敘述，何者正確？ (A)N 層軌道上可容納最多的電子數是 18 個 (B)半導體內的電荷傳導主要是靠擴散方式 (C)半導體材料的電阻係數會隨溫度的上升而下降 (D)在本質半導體內的
13.下列有關半導體的敘述，何者正確？ (A)二極體具有將直流電轉變成交流電的整流特性 (B) P型半導體有較多的自由電子 (C)在純矽中摻雜「磷」等五價元素，此矽稱為N型半導體 (D)純矽若摻入具有
6. 有關半導體元件之結構何者錯誤？(A) NPN 型與 PNP 型電晶體都屬於雙極性電晶體(B) N 型半導體是在純矽中摻雜少許 3 價原子材料(C) MOSFET 可分成增強型（Enhanceme
28.下列有關半導體工業的敘述，何者正確？ (A)積體電路一般稱為 PC (B)矽半導體材料導電性會隨溫度變化而改變 (C)導電性材料加入 50%非導電性材料後可成為半導性材料 (D)目前最常用的半導
10.下列有關半導體材料與製程的敘述，何者有誤？ (A)砷化鎵(gallium arsenide)化合物半導體具有發光能力，可以製造雷射及發光二極體的元件 (B)矽是一種優良絕緣體，可用做絕緣與保護目
19. 下列對於半導體之敘述，何者錯誤？(A) 當加逆向偏壓於 PN 接面時，空乏區會變窄(B) 當加順向偏壓於 PN 接面時，空乏區外存在擴散電容(C) 在本質半導體中摻雜五價元素，可形成 N 型半
17.有關半導體及其周邊產業的生產技術，下列敘述何者正確？(A)化學機械拋光(CMP)技術可使用於晶圓表面拋光加工 (B)純矽是電的良導體，要加入其他雜質使其成為半導體 (C)光罩的作用是防止光阻曝光
42.有關半導體的敘述，何者正確？ (A)其應用和電子技術對人類生活產生重大的影響 (B)半導體的導電能力優於金屬 (C)加入微量的雜質原子，反而降低半導體的導電能力 (D)半導體元件的體積很大，才能
17.下列有關半導體的敘述，哪些正確？(A)不含雜質的純半導體材料，其電子、電洞的密度相同(B)純的半導體材料溫度越高時，電子、電洞的密度越大(C)矽半導體加入5價雜質，會形成P型半導體(D)二極體的
16.在二極體內，p型與n型半導體的接合面附近存在一個所謂的空乏區，如圖10所示。下列有關半導體及二極體的敘述，哪些正確？ (A)在空乏區內，靠近p型半導體處帶有正電(B)純矽晶中若摻入磷的雜質便形成