37.有關半導體製程之敘述，下列何者不正確？(A)光罩(Photomask)是通常用石英玻璃製作，塗佈鉻金屬作為遮光用途(B)光阻(Photoresist)可分為正光阻與負光阻兩種(C)矽是半導體，業
6. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？(A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除(C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成(D) 矽
13. 有關半導體製程之敘述，下列何者正確？(A) 矽晶棒成長法，將種晶加熱，再施以高壓由一模具口擠出(B) 乾式蝕刻較濕式蝕刻所得電路線條的精度較高(C) 積體電路的製作流程，先摻雜，再製作薄膜及微
37. 下列有關半導體製程技術之敘述，何者不正確？ (A)矽為非導體，但摻雜砷或硼之後，就會變成半導體 (B)半導體光學微影製程步驟：光阻塗佈→光阻曝光→光阻顯影 (C) 蝕刻是將晶圓上未受光罩保護之
13. 有關半導體製程的敘述，下列何者正確？(A) 柴可斯基法(Czochralski Process)拉晶形成的矽晶棒，其直徑精度很難控制(B) 半導體薄膜製作，通常採用氣相沈積和還原法(C) 半導
5. 有關半導體之敘述，下列何者不正確？(A) 濕式蝕刻比乾式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B) 金屬化製程為製作積體電路中之一流程(C) 矽是半導體，摻雜砷或硼之後，就會變成導體(D) 半導體係利
8. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體(D)微影
25. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體(D)微
33. 下列有關「半導體」製程之敘述，何者正確？(A)乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題(B)蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除(C)矽是半導體，如果摻雜硼或磷之後，就會變成導體(D)微
10.下列有關半導體材料與製程的敘述，何者有誤？ (A)砷化鎵(gallium arsenide)化合物半導體具有發光能力，可以製造雷射及發光二極體的元件 (B)矽是一種優良絕緣體，可用做絕緣與保護目
40 有關半導體積體電路（IC）製程敘述，下列何者錯誤？(A)光微影（Lithography）是將線路縮小的關鍵製程(B)光阻（Photoresist, PR）有負光阻和正光阻(C)濕蝕刻（Wet e
80. 有關半導體之敘述，下列何者錯誤？(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性(B)矽(Si)質半導體之逆向崩潰電壓( )較鍺(Ge)質半導體為高(C)P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電(D)
11.有關半導體之敘述，下列何者正確？(A)外質半導體帶正電、本質半導體為電中性(B) P 型半導體帶正電、N 型半導體帶負電(C)P 型半導體是本質半導體摻雜 5 價元素所形成(D)矽(Si)質半導
ˉ2. 下列有關半導體之敘述，何者正確？(A) 當溫度升高時本質半導體的電阻會變大(B) P型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度(C) 外質半導體中電洞與自由電子的濃度相同(D) N型半導體內總電子數
57. ( )半導體製程中，氫化砷是摻雜矽晶的重要原料之一，若不慎外洩，會汙染環境及危害人員。下列有關砷及其化合物的敘述，何者正確？ (A)砷是類金屬元素 (B)氫化砷是離子化合物 (C)氫化砷具有分
13. 有關積體電路製造過程，下列敘述何者不正確？(A) 半導體製造的主要流程為：薄膜製作微影蝕刻摻雜(B) 微影是將元件的幾何圖案利用光罩傳遞到矽晶圓基板上(C) 微影製程曝光所用的光線為黃光
【題組】36＞半導體製程中，氫化砷是摻雜矽晶的重要原料之一，若不慎外洩，會汙染環境及危害人員。下列有關砷及其化合物的敘述，何者錯誤？(A)氫化砷是離子化合物 (B)氫化砷分子的砷原子滿足八隅體規則 (
19.半導體製程中，氫化砷是摻雜矽晶的重要原料之一，若不慎外洩，會污染環境及危害人員。下列有關砷及其化合物的敘述，何者正確﹖(A)砷是類金屬元素(B)氫化砷是離子化合物(C)氫化砷具有分子間氫鍵(D)
19. 有關半導體之敘述何者正確？ (A)在矽中摻雜具有五個外層電子的硼或鎵，摻雜後第五個電子變成自由電子不受拘束，故可以在固體中自由移動，此為 N 型半導體(B)薄膜製作中，濺鍍法是以氫離子撞擊靶材
42有關半導體光學微影製程，用到的材料有晶圓、光罩、光阻、顯影劑，對此材料的說明下列何者不正確？(A) 矽是用來製造晶圓的主要原材料。(B) 光罩是是一片透明的石英玻璃，其主要用途在於將積體電路之各種
13. 有關新興製造技術的敘述，下列何者正確？(A) 薄膜製程之氧化法適用於產生非矽質基板的沉積層(B) 摻雜之目的在不受保護的矽基板上產生 B 型或 C 型半導體(C) 非等向性蝕刻較等向性蝕刻容易
四、甲為半導體專家，經過多年的努力，研發出全新的半導體製程，並且擁有多項專利，A 股份有限公司有意向甲購買該半導體製程與專利，甲同意 A 股份有限公司以其所發行百分之十五的股份購買，其中百分之十的股份
50.以下有關半導體特性之敘述,何者適切?(A)半導體在室溫下之電導率大致介於導體與絕緣體之間(B)半導體之電導率隨溫度的變化與導體類似(C)半導體如矽(Si)和鍺(Ge)一旦被入質,將大大破壞其半導
78. 市調機構顧能（Gartner）2012 年 10 月最新預測指出，今年全球半導體晶圓設備支出將年減 13.3％，但仍看好先進製程需求。請問下列半導體製程中，以那一種製程最為先進？(A)28 奈
40. 化學氣相沉積法是半導體製程的重要技術之一，其所使用的無縫不鏽鋼管規格依照ANSI的規範製造，並以公稱管徑與管號來表示鋼管的規格。下列關於公稱管徑與管號的敘述，何者不正確？(A) 管號與鋼管的壁
10半導體製程設備用之石英環，歸列稅則第7020節「其他玻璃製品」，而不歸列稅則第8486節「專供或主要供製造半導體晶柱或晶圓、半導體裝置、積體電路及平面顯示器之機器及器具；本章註9（C）所規範之機器