一、若有一 n 型半導體其熱平衡下之能帶圖（局部）如圖 1 所示，其長度為 L，n ( x = 0 ) = n0 。【題組】 ⑴求電位差 ΔV (= V ( L) - V (0)) 、電場強度分布 E
【題組】 ⑵若將此 n 型半導體右端接地，左端外接一電壓源VA (= ΔV ) ，請繪出此 n 型半導體之能帶圖並求淨電子電流密度分布 J n (x ) ，已知電子移動率（mobility）為 μ n
三、一理想金氧半場效電晶體 ，臨界電壓Vth = 1 V，介電層（MOSFET） （SiO2）厚度 10 nm，SiO2 介電係數 3.9ε 0 ， ε 0 = 8.854 ×10−14 F/cm 。