【題組】 ⑵ 一 般 魚 貯 存 時 , 從 氧 化 三 甲 胺 ( trimethylamine oxide; TMAO ) 生 成 三 甲 胺(trimethylamine; TMA)之變化,主要
【題組】 ⑶若將⑵所示之合金膜製成兩條平行線,並間隔以 1 μm 寬的 SiO2(SiO2 的相對介電係數(relative permittivity)為 3.9,真空中介電常數為 8.854 × 1
三、在離子佈植製程中,若以 1000 keV 的能量,將 1015/cm2 的硼劑量(boron dose)植入一 n 型 Si 中(設 Si 之摻雜濃度為 1015/cm3),又植入之硼離子的濃度分
【題組】 ⑵設入射硼離子的平均投影範圍(projected range,Rp)為 1.756 μm,而投射游走(projected straggle,ΔRp)為 0.1364 μm,試計算圖一中接面深
四、在一氧化製程中,已知當氧化層厚度為 0.5 μm 時,氧化速率(oxidation rate,dxox/dt)為每小時 0.24 μm, 但當氧化層厚度達到 1 μm 時,氧化速率卻變成每小時0.