35. 一個NPN電晶體的偏壓電路如圖(十五)所示，已知VCC =10V，RE =0.5 kΩ，且流經R1之電流大於10mA。當電晶體工作於順向主動區，且其電流增益 β=200時，IC =2.0mA。
37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
37 如圖所示為一直接耦合的串級放大器，兩個電晶體的 β = 100，NPN 電晶體的 VBE,active與 PNP 電晶體的 VEB,active均為 0.7 V。計算偏壓電流時可忽略電晶體的基極
26 如圖所示之電路，其中各電晶體之參數皆為 βnpn = 100，1 kT/q = 1VT = 26 mV 且爾利（Early）電壓 VA = ∞，假定此電路之直流偏壓電流 IC = 4 mA，求此
9. 如圖 ( 四 ) ( a ) 偏壓負載電路中，使用一個具有 β 為 100 的功率電晶體，其輸入電壓電流特性曲線如圖(四)( b )所示，求此時電晶體的集極電流為何？(A) 50mA (B) 1
61. 下圖電路所示，若 為 15V，且電晶體的電流增益 β 為 140，已知 ＝10Ω，R2＝100Ω，若設計工作點為 ＝10V，且 ＝14mA 的偏壓電路，則 R1 及 阻值為何？ (A)R1＝1
34 兩電晶體 Q1（β1=49）與 Q2（β2=79）直接耦合的串級放大電路如圖所示，其中 Q1的基極偏壓電流為IB1=1.25μA，求該放大電路之輸出電阻 Ro 約為多少 Ω？熱電壓 VT =25
20. 如圖 ( 十五 ) 所示之電晶體直流偏壓電路，若 VBE = 0.7 V，β = 200， VCC = 10 V，RB =300 kΩ，RC =1kΩ，則其直流工作點IC與VCE之值各約為何？
41.雙極性接面電晶體(BJT)的直流偏壓電路如【圖 41】所示，若 BJT 的 β = 100，RC=500Ω，VCC=10V， IB=1mA，則下列何者正確？(A)電晶體操作於主動區 (B)電晶體
7.一個雙極性接面電晶體(BJT)共射極放大器，射極端接1kΩ電阻到 接地端(0V)，基極的偏壓電壓為2.7V，若電晶體基-射極兩端間的導通電壓()為0.7V並忽略基極電流，此電晶體的偏壓電流為： (
28 如圖所示直流偏壓電路的電晶體放大器中，電晶體的輸出直流電壓工作點為 4 V ，電晶體 β 值變為原來的2倍而其他特性參數不變，則RB 必須變為原來的多少倍才能使輸出直流電壓工作點變為6 V？(A
33 由 β1 = 80 及 β2 = 100 的電晶體 Q1 及 Q2 所構成 RC 串級放大電路如圖，第 1、第 2 單級放大電路的基極直流偏壓電流 IB1 與 IB2均為 25 μA，且測得 R
14. 電晶體在作用區的偏壓電路如右圖所示，若電晶體的共射極電流增益β為100，基極電流為100 μA，下列何者正確？ (A)集極電流為 10 mA(B)集極電流為 50 mA(C)集極電流為 100
28 如圖所示之電晶體放大器電路中增強型 MOSFET 的相關參數為 μnCox(W/L) =2 mA/V2 和臨界電壓Vth =1 V，測得輸出直流偏壓電壓 Vo = VDSQ = 6 V，該偏壓下
四、圖 3 中的迴授放大器包含了一個由 Q1 和 RD 所構成之共閘極（common gate）放大器，以及由電容分壓器（C1, C2）與共源極電晶體 Qf 組合而成的迴授電路。注意 Qf 的偏壓電路
四、如圖四所示之電晶體電路，電晶體參數 β = 100，且厄立電壓（Early voltage）VA =∞ 、熱能電壓 VT = 26 mV。若直流偏壓電流 ICQ = 1.15 mA，【題組】(一)
48.有一穩壓電路如【圖 11】所示，假設 Q1、Q2電晶體的 IC=IE (IB忽略)，VBE=0.7 V，則 VL為下列何者? (A) 6.3 V (B) 7 V(C) 11 V (D) 20 V
36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？ (A) 1
36 如圖所示為一哈特萊（Hartley）振盪器，其電晶體的偏壓部分並未畫出，L1 = 40 μH，L2 = 10 μH，C = 100 pF，R = 1 kΩ，振盪器的振盪頻率約為多少？(A) 1.
36 如圖所示為一考畢子振盪器（Colpitts Oscillator）電路，其偏壓電路並沒有畫出來。電晶體 Q 之gm = 10 mA/V，RE = 1 kΩ，L = 20 μH，C1 = 25 p