二、已知矽晶體在常溫下(300 K)之本質載子濃度(intrinsic carrier concentration)為ni = 1.5×1010 cm-3,1 kT/q = 0.0259 V,該晶體同
【題組】 ⑵電洞濃度 po =?(7 分)
【題組】 ⑶費米能階(Fermi energy level)EF相對本質費米能階(intrinsic Fermi energy level)EFi之位置為 EF - EFi =?eV(6 分)
三、某pn接合面在n區之熱平衡少數載子濃度為 pn0 = 106 cm-3,電洞之擴散係數(diffusion coefficient)為Dp =15cm2/s,電洞少數載子壽命(minority c
【題組】 ⑵當加上逆偏壓使得xn 處之電洞濃度為零,請繪出此時之電洞少數載子濃度分布示意圖,並求出在xn處由n區流入空乏區之電洞擴散電流密度Jp(xn) =?(10 分)
四、在半導體曝光顯影製程中,對於所使用的光阻(photo resist):【題組】⑴請說明正光阻與負光阻之特性差異。(10 分)
【題組】 ⑵採用正光阻製程,若要製作一凸起之 I 字型光阻圖案,請繪出所設計光罩圖型示意圖(以斜線代表暗區,空白代表亮區表達)。(10 分)
五、對於多晶矽閘(poly-Si gate) p 通道金氧半場效電晶體(p-channel MOSFET):【題組】⑴請簡述採用離子佈植技術之電晶體製程步驟流程。(10 分)
【題組】 ⑵若要將該電晶體之臨限電壓(threshold voltage)調整為更為負ΔVth < 0,請問該如何達成?(10 分)
一、因地制宜是地方政府設計與運作的要素,請申論我國地方政府應如何配合地域差異和環境特質,以發展出適當的治理策略?(25 分)
二、我國升格為直轄市的地方政府數增加,因而區的數量亦隨之增長,請說明傳統意義上,區的角色與地位為何?並析論因應不同地域特性,區的功能應從那些面向加以檢討?(25 分)
三、地方自治中,分權除可作為區隔國家與地方政府體制之標準外,亦可從運作之功能與策略二個面向,探討地方分權之內涵及對地方政府的意義,請併同析論之。(25 分)
四、我國地方政府應朝那些前瞻性角色進行轉換?並採取何種途徑以落實責任政府的目標?(25 分)
一、扼要解釋:【題組】⑴為何地球表面在大地應力分析時可視為一個應力的主要面(principal plane)?(5 分)
【題組】 ⑵在三軸壓應力破壞試驗時,為何剪裂面發生的位置通常不在剪應力最大的地方?(5 分)
二、【題組】⑴在正應力(橫軸)-剪應力(縱軸)座標圖上繪製岩石標本在三軸應力試驗,分別受到張應力、中等圍壓及高圍壓三種應力狀態,產生破壞時的莫氏應力圓(Mohrcircle)及破壞包絡線(envelo
【題組】 ⑵繪圖並說明上述三種破壞時岩體的外觀特徵及野外相對應形成的構造。(12 分)
三、分別說明下列斷層出現的地體構造位置和其特性。(每小題 4 分,共 16 分)【題組】⑴ Transform fault
【題組】 ⑵ Transcurrent fault
【題組】 ⑶ Tear fault
【題組】 ⑷ Transfer fault
四、比較並討論前淵盆地(foreland basin)和被動大陸邊緣盆地(passive continental-margin basin)在地體構造位置、盆地形狀及成因的不同。(20 分)
五、說明板劈理(slate cleavage)、片理(schistosity)、片麻理(gneissic foliation)三種葉理的成因及在構造上的區別。(18 分)
六、繪圖並說明三種在複合岩層褶皺,由於岩層強度差異所呈現的中視構造。(15 分)
一、某一空氣游離腔接受 1.5×105Bq 之α射線照射,已知α射線之能量為 1.17 MeV:【題組】⑴試問游離腔內可產生多少安培電流?(7 分)