28 圖中所示的增強型 MOSFET 具有特性參數包括:臨界電壓
【陳明福】評論
VG=12*3M/(6+3M)=4V倘VGS=3V那VS勢必為1V(VG-VGS)*2unCox=2mA=ID1V/2mA=500歐姆
【還在努力的考生】評論
先分壓得到VG=12*3/9=4vVGS=3v=VG-VS 所以VS=1vID=1/2mCox(W/L)*(VGS-Vth)2ID=1/2*1m*(3-1)2=2mAV=IR1v=2mA*RR=0.5k 歐姆